长鑫存储份额逼近10%、全球第四，带动国产存储供应链机会

据财联社消息，9月20日，长鑫科技宣布第五代DRAM技术平台（G5）实现量产。该平台将内存阵列有源区半间距压缩至11.95纳米，电容深宽比达45:1，同等晶圆尺寸下产出较上代提升50%以上。而基于G5平台的24GBLPDDR5X移动内存已完成量产认证，正式进入国产主流旗舰手机供应链。

全球DRAM市场正处于AI驱动的超级景气周期，2026年二季度全球DRAM营收约1470亿美元，环比增长56%创历史新高。此前三星、SK海力士、美光三巨头合计占据超90%市场份额。其中，2025年国内DRAM市场规模2130亿元，但整体国产化率仅18.7%，高端移动与服务器内存国产化率不足10%。但长鑫存储2026Q2全球份额已逼近10%，排名第四，同比增速150%，是全球增长最快的DRAM厂商。

本次长鑫存储G5平台量产是国产存储工艺向10纳米级节点迈进的标志性突破，意味着国内企业已掌握高端移动内存量产能力，正式切入主流旗舰市场。国产高端存储技术突破将直接降低下游手机、服务器厂商采购成本，带动国产半导体设备、光刻材料、晶圆制造等上下游产业链技术升级——比如，基于G5平台研发的10667Mbps高速率LPDDR5X已量产搭载于首款AI智能体手机"豆包手机"中。

展望后市，AI算力与智能终端共振驱动DRAM量价齐升，国产替代空间广阔。专业机构Omdia预测，全球DRAM市场将从2025年1505亿美元增至2030年5710亿美元，CAGR约30%。其中，服务器需求占比从50%提升至71%。而在国内市场，未来国产化率有望从18.7%向30%以上迈进。具体到A股市场，可优先关注存储芯片设计、半导体设备、封装测试等相关领域头部企业。（光大证券微资讯）