据科技媒体周二报道,内存芯片供应紧张态势预计将持续至2027年,业内消息人士透露,三大内存原厂已基本完成明年的产能分配谈判。简言之,三星(SSNLF)、SK海力士(SKHY.US)和美光(MU.US)2027年的预计内存供应已全部售罄,且暂无新增产能规划。
报道称,三大供应商已分配完毕2027年全部DRAM和HBM产能。客户最终获得的配货量仅为其初始请求的60%至70%。业内人士指出,2027年将进入内存短缺最严峻的阶段。配货数量目前已基本敲定,但最终发货定价将更接近交付时确定。
市场份额方面,据Counterpoint Research全球内存追踪数据显示,三星二季度DRAM市占率达39%,位列榜首;SK海力士以26%位居第二,但较上年同期的39%出现明显下滑;美光以25%紧随其后。
中国存储芯片厂商长鑫存储(CXMT)近期上市并获投资者青睐,与美光、三星、SK海力士同台竞技。据近期报道,主要PC厂商已开始为部分笔记本电脑机型采购长鑫存储的DRAM芯片,以应对持续的内存短缺局面。
为应对供应紧张,各大内存芯片厂商正积极扩产:三星计划扩产50%,SK海力士大幅增加资本支出、推进265亿美元IPO及韩国本土超8800亿美元产业投资,美光则承诺到2035年在美国投入2500亿美元。
不过,内存芯片股上月集体走低,部分原因在于市场担忧行业大规模增产最终可能导致供应过剩,对价格形成压制。这一担忧在7月集中爆发,将2026年最炙手可热的交易主题推入技术性熊市。
7月28日黑色星期一成为集中爆发点,韩国KOSPI指数单日暴跌逾10%,SK海力士与三星电子当日跌幅均超过13%。这一轮抛售并非源于基本面恶化,恰恰相反,三大内存厂商业绩屡创新高。
市场的担忧在于,巨头们的扩产计划过于激进。三星计划扩产50%;SK海力士宣布在龙仁半导体(核心股)集群投资约600万亿韩元扩产DRAM,原计划2045年完工的集群建设将提前12年完成;美光2026财年资本开支预计约270亿美元,2027财年各季度均超百亿美元。
晨星分析师警告,新建晶圆厂产能需2至3年才能投产,当峰值产出遇上需求放缓,将面临显著的供应过剩风险。

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