据悉,已与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判。一位熟悉SK海力士的消息人士称:“HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上。” SK海力士向英伟达供应的HBM4单价已确认约为500美元中半带(500美金以上)。此前业内预期SK海力士的HBM4单价约为500美元,但实际交付价格超出预期10%以上,比目前供应的HBM3E(约合370美元)价格高出50%以上。
受此消息影响,隔夜美股美光科技大涨8.93%,再创历史新高。存储概念股希捷和闪迪也双双涨超10%。

当下,全球存储芯片价格仍在上涨。11月3日,市场消息称,三星电子率先于10月暂停DDR5 DRAM合约报价。 这引发SK海力士、美光等存储原厂跟进,恢复报价预计延后至11月中旬。受此影响,短短一周内,DDR5现货价格飙升25%。
同时,海外多家头部科技厂商上调了2025财年的资本支出预期,算力基础设施建设持续扩张,服务器和数据中心的存储需求增长持续提升行业景气度,预计四季度存储价格有望维持上涨趋势。
GKURC产经智库首席分析师丁少将11月4日分析,存储芯片行业本身处于周期性复苏阶段,厂商前期减产去库存,加速了供需逆转。这轮上涨可能持续到2026年甚至更久,其结束形式可能是巨头扩产导致供给增加,或是下游需求增速放缓,打破供需紧平衡。
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