中微公司三季报中的两项重大技术突破：存储芯片用高端刻蚀机大规模量产，多款薄膜设备性能达到国际先进水平

2025年10月29日，中微公司（688012.SH）发布了2025年第三季度报告。公司2025年前三季度（1-9月）营业收入为80.63亿元，同比增长约46.40%，归属于上市公司股东的净利润为12.11亿元，较去年同期增长约32.66%，研发支出25.23亿元，较去年同期增长约63.44%，研发支出占公司营业收入比例约为31.29%。

对于此次利润增长，中微公司表示，主要有三大原因：

1、2025年前三季度营业收入增长46.40%下，毛利较上年增长约8.27亿元；

2、由于市场对中微开发多种新设备的需求急剧增长，2025年公司显著加大研发力度，以尽快补短板，实现赶超，为持续增长打好基础。2025年前三季度公司研发支出较上年同期增长9.79亿元（增长约63.44%），研发支出占公司营业收入比例约为31.29%，远高于科创板均值；

3、由于市场波动，公司2025年前三季度计入非经常性损益的股权投资收益为3.29亿元，较上年同期增加约2.75亿元。

存储芯片用刻蚀机获重大突破，薄膜设备收入同比增长1333%

值得一提的是，中微公司不仅实现了业绩上的增长，在技术领域，中微公司同样有重大突破。

一是，存储芯片用刻蚀机获重大突破。

中微公司表示，公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。其中CCP方面，公司用于关键刻蚀工艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场。

二是，薄膜设备领域取得重大突破。

今年前三季度，中微公司LPCVD和ALD等薄膜设备收入4.03亿元，同比增长约1332.69%。

中微公司强调，公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款薄膜设备已经顺利进入市场，并且设备性能完全达到国际领先水平，薄膜设备的覆盖率不断增加。

除了上述两大突破，在其他技术领域，中微公司也有进展。

中微公司表示，ICP方面，适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。加工的精度和重复性已达到单原子水平。

此外，公司硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。在泛半导体设备领域，公司正在开发更多化合物半导体外延设备，已陆续付运至客户端开展生产验证。