史诗级国产存储巨无霸打新价格公布！长鑫科技发行价8.66元，发行市盈率高达308倍，7月16日全网申购，发行市值逼近5800亿

7月14日，国内DRAMIDM龙头长鑫科技敲定IPO发行全部核心参数，将于7月16日正式开启网上、网下同步申购。作为AI算力（核心股）存储核心国产替代标杆，本次募资规模接近580亿元，发行静态市盈率大幅超出行业与可比公司均值。

一、IPO核心发行数据梳理

1、发行基础规则本次发行价格定为8.66元/股，申购无需预缴资金；网下申购时间：7月16日9:30-15:00；网上申购时间：7月16日9:30-11:30、13:00-15:00。

2、股份与募资规模初始发行股份66.88亿股，占发行后总股本10%；主承销商中金可启用15%超额配售选择权；未行使绿鞋前，预计募集资金总额579.19亿元，扣除发行费用后募资净额576.38亿元，对应发行总市值约5792亿元，是年内A股规模顶级半导体（核心股）IPO。

3、估值核心争议点发行价对应2025年扣非孰低摊薄市盈率308.92倍；对比参考：行业平均市盈率仅76.32倍，同赛道可比公司平均市盈率134.62倍，发行估值大幅高出两大估值中枢，上交所风险提示文件专门提示估值过高风险。

二、企业基本面：从连年巨亏到AI算力（核心股）周期暴利

长鑫科技是国内唯一实现DRAM规模化量产IDM企业，全球第四大存储原厂，核心产品覆盖AI服务器DDR5、HBM、手机LPDDR、车规存储四大赛道。业绩走势极致分化：2023、2024连续大额亏损，2025年行业回暖实现扭亏；2026年AI算力（核心股）拉动DRAM价格暴涨，一季度单季净利润超247亿，上半年净利润预期500-570亿，单季度盈利远超往年全年，周期上行红利完全兑现。本次巨额募资将全部投向12英寸DRAM产能扩建、HBM高端存储研发、产线技改，进一步扩大国产存储产能规模，缩小与三星、美光、SK海力士的技术、产能差距。

三、市场冰火分歧

7月13日存储赛道迎来惨烈杀跌，兆易创新、香农芯创、佰维存储批量封死跌停，市场担忧存储周期冲高后价格回落、行业扩产压制盈利。在近期多空博弈十分激烈的盘面下，长鑫科技出炉308倍超高发行市盈率，更容易形成极致反差，市场两大对立观点：

看多逻辑

1、稀缺性无可替代：A股唯一DRAM原厂标的，国产自主核心资产，政策长期扶持，存在极强估值溢价逻辑；2、AI算力（核心股）长期需求确定，HBM、服务器DRAM需求持续扩容，公司产能持续扩张，中长期盈利空间充足；3、全球海外原厂估值参考周期底部，当前行业处于上行中段，短期高PE对应未来数年高利润释放。

看空担忧

1、发行估值严重透支业绩，308倍静态PE远超板块合理区间，若存储周期见顶、产品价格下滑，估值将迎来大幅消化；2、存储属于强周期行业，历史上价格暴涨暴跌循环往复，2026年高利润不具备永久持续性；3、海内外大厂同步扩产DRAM、HBM，远期供给放量，或压缩产品价格与企业毛利率。

四、上市重点观察信号

1、申购参与热度：7月16日网上、网下有效申购总量，机构对308倍高估值的参与意愿；2、存储现货价格走势：DRAM、HBM报价变化，直接决定公司全年盈利预期；3、同业扩产进度：三星、美光、国内存储企业新增产能投放节奏，判断周期持续性；4、上市首日资金分歧：开盘涨幅、换手率，观察资金是否接受超高一级市场估值。

风险提示

本文仅整理交易所、上市公司公开发行公告，不构成打新、股票投资建议。1、发行市盈率308.92倍，显著高于行业及可比公司，估值风险极高；2、DRAM为强周期品种，存储芯片价格大幅波动将直接冲击公司盈利；3、全球同业产能集中扩张，远期或引发价格战、利润缩水；4、AI算力（核心股）资本开支存在下调风险，下游需求不及预期；5、新股上市存在大幅破发可能性，普通投资者谨慎参与。