国产EUV光刻胶取得重要进展，有望打破海外垄断

近日，清华大学化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶。此前EUV光刻胶国产化率近乎为0，清华方案为国产EUV光刻胶提供可工程化路径，有望打破日本JSR、东京应化等巨头的垄断。

近期，我国半导体的国产替代从单点突破转向全链条渗透，如长江存储推动“全国产化”制造设备，首条全国产化产线将于2025年下半年导入试产；中芯国际实现14纳米FinFET（鳍式场效应晶体管）量产；光刻胶与光刻机设备协同突破，降低技术落地风险。

政策层面，国家集成电路产业投资基金三期于2024年5月24日正式成立，注册资本达3440亿元人民币，超之前一二期之和，规模空前，正在推动我国的半导体设备及材料加速实现国产化。

展望后市，截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，而半导体材料多而杂，目前国产化率仍偏低，未来国内半导体设备及材料的国产替代空间广阔。

落脚到A股市场，光大证券指出，国内晶圆厂建设保持较高增速，先进制程晶圆代工厂是国内扩产领先环节，关注半导体产业链各细分环节（半导体设备、材料、零部件等）国产替代的龙头企业。