是供给侧收缩+AI需求共振，存储芯片大幅涨价，量价齐升或将持续到2026年

据CFM闪存市场发布最新报告显示，2025年年初至今，NAND Flash市场综合价格指数上涨9.2%，DRAM市场综合价格指数上涨47.7%。在AI驱动的内存升级浪潮、原厂保利润的供应策略与下游长尾刚性需求的叠加作用下，预计将推动2025年DRAM市场创下历史新高。

光大证券分析称，存储芯片涨价是供给侧收缩与AI需求共振的结果。

供给端，三星、美光等原厂逐步停产DDR4/LPDDR4X，将产能转向HBM、DDR5等高附加值产品（如美光停产DDR4后转向1-gamma节点生产HBM和LPDDR5），导致成熟制程DRAM供应缺口达15%~20%，LPDDR4X价格预计三季度将环比涨超20%。

需求端，AI驱动存储升级：AI服务器方面，HBM因高带宽成为AI服务器标配，预计2025年需求同比+117%，DDR5需求增212%；企业级SSD需求占比将升至31%；端侧应用方面，AI手机推动LPDDR5X需求增427%，24GB+1TB组合成主流；AI PC拉动单机DRAM容量年增12.4%（64GB渐成标配）。

展望后市，存储芯片的量价齐升的趋势有望延续至2026年；其中，受益AI快速发展，HBM需求强劲，全球HBM市场规模快速提升，预计HBM市场规模在DRAM中的占比有望从2023年的8%提升至2025年的34%。

落脚到A股市场，受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，存储芯片产业链有望探底回升，关注存储芯片龙头企业以及HBM产业链相关企业。