存储芯片价格突飞猛进，多个赛道迎来新机遇

据DRAMexchange数据，2025.06.09-06.13当周，NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.86%至5.14%，平均涨跌幅为1.30%；DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为0.86%至20.14%，平均涨跌幅为10.50%。

光大证券分析，存储芯片价格近期呈现上涨态势，背后有多方面原因。

从供给端来看，此前存储芯片市场处于下行周期，供过于求，价格低迷，三星、美光、SK海力士等全球存储芯片大厂为扭转局面，纷纷削减产能。例如美光从2024年9月开始削减NANDFlash闪存产量，并计划将减产幅度扩大至30%，三星也在2024年11月宣布减产，目标是将NANDFlash芯片产量减少15%-20%。经过一段时间的减产，市场库存得到有效去化，供应压力缓解，为价格上涨奠定基础。

需求端上，AI技术的迅猛发展成为关键推动因素。AI服务器对存储芯片的需求极为旺盛，其存储成本占比达40%-60%，单台搭载HBM芯片价值量超3000美元。不仅如此，AI在智能手机、个人电脑、智能穿戴等消费电子领域以及智能汽车领域的加速渗透，使得终端设备对更高容量和更高性能存储芯片的需求大增。如AI手机标配DRAM升至16GB，AI电脑内存扩至32GB。

展望后续，若AI产业持续高速发展，对存储芯片的需求将维持高位，叠加厂商谨慎控制产能，存储芯片价格有望在一段时间内保持上涨态势，行业有望进入新一轮上行周期。同时仍需关注消费电子市场需求整体情况，若智能手机等出货量不急预期，可能对存储芯片价格上涨幅度形成一定制约。

具体到A股市场，受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升，考虑到算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长。