22日，TechInsights最新电动汽车服务报告指出，预计碳化硅市场收益在2022年至2027年期间将以35％的复合年增长率从12亿美元增长到53亿美元。到2029年，该市场规模将增长到94亿美元，其中中国将占一半。

　　碳化硅（SiC）具有很多优势，作为一种宽禁带半导体材料，SiC临界击穿电场强度高，约比硅（Si）高10倍左右，导通电阻低，可使器件的导通损耗大大降低；SiC具备较高的载流子迁移率，能够提供较高的电流密度，可减少周边器件的使用，相同功率等级下封装尺寸更小，从而在整体上缩减了系统尺寸；SiC也有良好的热导率，更容易散热，工作温度可以达到600℃，而一般的Si器件最多能坚持到150℃；SiC 也能够实现高频开关，减少无源器件的体积和 成本。因其这些特性，SiC被称作第三代半导体材料之一，可被用来制造各种耐高温的高频大功率器件，具有广阔的市场空间和前景。

　　海通国际证券介绍，海外企业方面，意法半导体依然占据碳化硅供应商龙头地位，向特斯拉model Y供应器件与模块，市占率达到37％；此外，英飞凌在充电桩业务上取得了出色的进展，进步很快，目前市占率已达到22％；Woolfspeed是全球最大的 SiC 衬底制造商，将投资高达 50 亿美元在北卡罗来纳州建造SiC材料工厂；罗姆和安森美进步较大，主要供货给模块供应商，罗姆芯片出货给模组的制造商，安森美的主要业务分布在光伏储能、充电桩和新能源汽车。

　　国内企业方面，三安光电是国内首家实现SiC垂直产业链布局的公司，具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力，产能目前处于爬坡阶段，公司预计25年配套年产能达36万片；天岳先进专注于碳化硅衬底，现年产能6.7万片，以4-6英寸半绝缘型为主。