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兆易创新(上海:603986)

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暂无关联投资品种

兆易创新已经停牌,后市该如何操作?请立即咨询高手(已有30人咨询)

所属行业/所属概念(共4个)
北京市 2.47%

必创科技26.0510.01%

航天信息24.8510.00%

先进数通12.339.99%

高送转概念 2.44%
次新股概念 2.33%
其他电子 0.27%

股票名称最新价涨跌幅

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  • 兆易创新个股预览

上市日期:2016-08-18

发行价格:23.26元

成立日期:2005-04-06

雇员总数(人):412

所在地区:北京市

总经理:何卫(代)

注册资本:28,464.45(万元)

主营业务

闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品的研发、技术支持和销售

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资金流向
资金总净流入
资金总流入,总流出
详细>>

委比--委差--

卖5----

卖4----

卖3----

卖2----

卖1----

成交--现手--极速行情

买1----

买2----

买3----

买4----

买5----

--最新--今开 --涨跌--最高 --涨幅--最低 --总手--总额 --量比--换手 --涨停--跌停 --内盘--外盘

--市盈率0.826收益(二) 10.96市净率6.44元净资产 2.07亿流通股146.42亿流值 2.85亿总股本200.96亿总值

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  • 报告期:2018-06-30,下期预披露时间:2018-10-31更多>>
  • 财务指标
报告期 18中报 18一季 17年报 17三季 17中报
基本每股收益(元) 0.840 0.447 1.990 1.700 0.640
归属净利润(亿元) 2.35 0.8933 3.97 3.39 1.79
归属净利润同比增长率(%) 30.99 28.55 125.26 134.74 99.59
每股净资产(元) 6.46 8.44 8.67 7.91 7.12
加权净资产收益率(%) 13.46 5.15 26.27 23.51 13.01
营业总收入(亿元) 11.07 5.42 20.30 15.17 9.39
收入同比增长率(%) 17.88 19.71 36.32 44.69 43.29
营业利润率(%) 22.43 17.76 21.51 25.17 21.32
存货周转率(次) 1.04 0.51 2.39 2.05 1.47
资产负债率(%) 30.17 32.30 31.74 24.82 24.83

2017三季每股收益:1.700元,行业均值:0.18元,
行业排名:4/261,行业值最大:吉比特

每股收益净利润营业总收入净资产收益率资产负债率
  • 股本股东

数据日期:2018-06-30更多>>

股东名称持股数
(万股)
占比
(%)
持股
变化
国家集成电路产业投资基金股份有限公司 3,121.3 15.05% 增持
讯安投资有限公司 2,679.92 12.92% 增持
陕西省国际信托股份有限公司-陕国投· 1,849.62 8.92% 增持
全国社保基金四零一组合 680.01 3.28% 增持
盈富泰克创业投资有限公司 557.36 2.69% 增持
朱一明 432.8 2.09% 增持
深圳市中和春生壹号股权投资基金合伙企 345.24 1.66% 增持
葛卫东 252.4 1.22% 增持
中国银行股份有限公司-海富通股票混合 148.44 0.72% 增持
天津浔渡创业投资合伙企业(有限合伙) 142.84 0.69% 增持
数据日期:2018-06-30更多>> 股东人数趋势

2018年06月30日的最新股东数为31081,上一期为21412,幅度为45.16%,筹码有分散趋势。

  • 更新日期:2018-10-20更多>>
  • 兆易创新机构评级
盈利预测
预测指标2017年2018年2019年2020年
PE(倍)187.3948.4335.6025.44
EPS(元)1.992.573.314.32
净利润(亿元)3.976.298.9512.52
ROE(%)22.6328.2530.0530.55
机构评级

近一个月内,共有2家机构参与评级,预测目标均价:-- 元。

  • 兆易创新投资要点

要点1:公司拟在原有NORFlash的基础上,研发90nm、65nm和45nm工艺节点的NORFlash,丰富公司的NORFlash产品线。本项目需建设一个434平米左右的研发基地,主要为芯片研发实验室,其主要用作NORFlash的技术改造、研发、测试新的NORFlash产品。主要设备包括开发PC机、工作站和EDA开发工具、版本管理软件、高速示波器、频谱分析仪、信号源等软硬件设备。本项目将缩小芯片面积,提高单位晶圆上的芯片数量,降低制造成本和功耗。在电路设计方面,提高时钟频率设计,对芯片电路及布局进行优化,使用独特的块技术提升单位面积的容量。项目建设期为三年。项目计划总投资16,018.17万元,其中工程费用2,846.92万元,工程建设及其他费用7,721.25万元,预备费750.00万元,铺底流动资金4,700.00万元。

要点2:公司通过该项目,研发3X/2Xnm及以下先进制程NANDFlash技术,设计开发功能和性能强大的NANDFlash系列芯片及综合应用解决方案。产品主要服务于小容量快闪存储器芯片市场,同时兼顾eMMC、SSD等应用市场,满足智能化产品和大容量市场需求。本项目的成功实施,将实现国内闪存芯片设计企业在NANDFlash领域的突破,部分技术达到国际领先水准。本项目需购置一处909平米左右的研发基地,主要为相关实验室,具体为芯片研发实验室、硬件研发实验室和软件研发实验室。

要点3:该项目的主要建设内容包括MCU芯片及不同应用领域接口软件的开发。在现有产品线基础上,开发55nm及以下工艺节点MCU芯片,完善和补充110nm工艺MCU系列产品;围绕MCU芯片在不同应用领域需求,开发相应的接口软件程序。本项目需建设一个723平米左右的研发和产业化基地,包括芯片研发实验室、硬件研发实验室和软件研发实验室。项目建设期为三年。项目计划总投资11995.47万元,其中工程费用2607.40万元,工程建设及其他费用6148.07万元,预备费840.00万元,铺底流动资金2400.00万元。

要点4:该项目拟在公司现有技术部门的基础上,建设研发中心、增加相关研发设备、储备相关基础技术。本项目主要建设包括新型非易失性存储器实验室、下一代NANDFlash存储器实验室、下一代存储器测试技术实验室在内的三个主要实验室。基于未来发展战略和技术布局,研发中心将重点承担三个研发方向,每个研发方向由若干待突破的核心技术组成。项目建设期为两年。项目总投资3280.77万元,其中工程费用1,210.00万元、工程建设及其他费用1,760.77万元、预备费100.00万元、铺底流动资金300.00万元。本项目立足于前沿技术、基础技术的开发和储备,不直接产生经济效益,其重要意义在于其覆盖了公司中长期各阶段基础研究的重点,对于提高公司市场竞争力具有重要战略意义。

要点5:2017年2月14日公告,公司拟以发行股份及支付现金的方式收购北京矽成100%股权。其中发行股份支付对价为455,000.00万元,现金支付对价为195,000.00万元。同时,公司拟募集配套资金203,000.00万元。北京矽成的主营业务为提供高集成密度、高性能品质、高经济价值的集成电路存储芯片的研发、销售和技术支持,以及集成电路模拟芯片(ANALOG)的研发和销售。

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