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兆易创新(上海:603986)

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暂无关联投资品种

兆易创新后市该如何操作?请立即咨询高手(已有27人咨询)

所属行业/所属概念(共4个)
北京市 0.38%

华通热力21.8510.02%

数字认证57.6310.00%

掌阅科技7.059.98%

次新股概念 -1.35%
高送转概念 -1.53%
其他电子 -1.95%

股票名称最新价涨跌幅

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  • 兆易创新个股预览

上市日期:2016-08-18

发行价格:23.26元

成立日期:2005-04-06

雇员总数(人):298

所在地区:北京市

总经理:朱一明

注册资本:20,269.4(万元)

主营业务

闪存芯片及其衍生产品、微控制器产品的研发、技术支持和销售

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委比--委差--

卖5----

卖4----

卖3----

卖2----

卖1----

成交--现手--极速行情

买1----

买2----

买3----

买4----

买5----

--最新--今开 --涨跌--最高 --涨幅--最低 --总手--总额 --量比--换手 --涨停--跌停 --内盘--外盘

--市盈率0.885收益(二) 17.60市净率7.12元净资产 1.47亿流通股184.76亿流值 2.03亿总股本254.16亿总值

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  • 报告期:2017-06-30,下期预披露时间:2017-08-28更多>>
  • 财务指标
报告期 17中报 17一季 16年报 16三季 16中报
基本每股收益(元) 0.900 0.695 2.120 1.860 0.600
归属净利润(亿元) 1.79 0.6949 1.76 1.45 0.8991
归属净利润同比增长率(%) 99.59 94.20 11.82 19.53 44.16
每股净资产(元) 7.12 13.46 12.79 12.37 8.86
加权净资产收益率(%) 13.01 5.29 21.18 20.57 14.55
营业总收入(亿元) 9.39 4.52 14.89 10.49 6.55
收入同比增长率(%) 43.29 46.61 25.25 26.77 34.09
营业利润率(%) 21.32 16.66 10.88 12.60 13.13
存货周转率(次) 1.47 0.79 3.48 2.66 1.88
资产负债率(%) 24.83 19.61 23.39 21.37 29.93

2017中报每股收益:0.900元,行业均值:0.11元,
行业排名:6/242,行业值最大:吉比特

每股收益净利润营业总收入净资产收益率资产负债率
  • 股本股东

数据日期:2017-03-31更多>>

股东名称持股数
(万股)
占比
(%)
持股
变化
潘宇红 77 3.08% 增持
徐鹏 44.41 1.78% 减持
中铁信托有限责任公司-中铁信托·民生 39.55 1.58% 增持
陈一丹 37.3 1.49% 未变
钱钰 34.12 1.36% 减持
汤素娅 34.03 1.36% 增持
何怡 30 1.20% 减持
年魏魏 26.63 1.07% 增持
李祝芝 25.14 1.01% 增持
中国银行股份有限公司-上投摩根整合驱 20.91 0.84% 增持
数据日期:2017-06-30更多>> 股东人数趋势

2017年06月30日的最新股东数为13364,上一期为16317,幅度为-18.1%,筹码有集中趋势。

  • 更新日期:2017-09-25更多>>
  • 兆易创新机构评级
盈利预测
预测指标2016年2017年2018年2019年
PE(倍)112.7950.5536.2531.05
EPS(元)2.122.313.324.32
净利润(亿元)1.763.825.637.77
ROE(%)13.8023.2325.7326.41
机构评级

近一个月内,共有9家机构参与评级,预测目标均价:113.90 元。

  • 兆易创新投资要点

要点1:公司拟在原有NORFlash的基础上,研发90nm、65nm和45nm工艺节点的NORFlash,丰富公司的NORFlash产品线。本项目需建设一个434平米左右的研发基地,主要为芯片研发实验室,其主要用作NORFlash的技术改造、研发、测试新的NORFlash产品。主要设备包括开发PC机、工作站和EDA开发工具、版本管理软件、高速示波器、频谱分析仪、信号源等软硬件设备。本项目将缩小芯片面积,提高单位晶圆上的芯片数量,降低制造成本和功耗。在电路设计方面,提高时钟频率设计,对芯片电路及布局进行优化,使用独特的块技术提升单位面积的容量。项目建设期为三年。项目计划总投资16,018.17万元,其中工程费用2,846.92万元,工程建设及其他费用7,721.25万元,预备费750.00万元,铺底流动资金4,700.00万元。

要点2:公司通过该项目,研发3X/2Xnm及以下先进制程NANDFlash技术,设计开发功能和性能强大的NANDFlash系列芯片及综合应用解决方案。产品主要服务于小容量快闪存储器芯片市场,同时兼顾eMMC、SSD等应用市场,满足智能化产品和大容量市场需求。本项目的成功实施,将实现国内闪存芯片设计企业在NANDFlash领域的突破,部分技术达到国际领先水准。本项目需购置一处909平米左右的研发基地,主要为相关实验室,具体为芯片研发实验室、硬件研发实验室和软件研发实验室。

要点3:该项目的主要建设内容包括MCU芯片及不同应用领域接口软件的开发。在现有产品线基础上,开发55nm及以下工艺节点MCU芯片,完善和补充110nm工艺MCU系列产品;围绕MCU芯片在不同应用领域需求,开发相应的接口软件程序。本项目需建设一个723平米左右的研发和产业化基地,包括芯片研发实验室、硬件研发实验室和软件研发实验室。项目建设期为三年。项目计划总投资11995.47万元,其中工程费用2607.40万元,工程建设及其他费用6148.07万元,预备费840.00万元,铺底流动资金2400.00万元。

要点4:该项目拟在公司现有技术部门的基础上,建设研发中心、增加相关研发设备、储备相关基础技术。本项目主要建设包括新型非易失性存储器实验室、下一代NANDFlash存储器实验室、下一代存储器测试技术实验室在内的三个主要实验室。基于未来发展战略和技术布局,研发中心将重点承担三个研发方向,每个研发方向由若干待突破的核心技术组成。项目建设期为两年。项目总投资3280.77万元,其中工程费用1,210.00万元、工程建设及其他费用1,760.77万元、预备费100.00万元、铺底流动资金300.00万元。本项目立足于前沿技术、基础技术的开发和储备,不直接产生经济效益,其重要意义在于其覆盖了公司中长期各阶段基础研究的重点,对于提高公司市场竞争力具有重要战略意义。

要点5:2017年2月14日公告,公司拟以发行股份及支付现金的方式收购北京矽成100%股权。其中发行股份支付对价为455,000.00万元,现金支付对价为195,000.00万元。同时,公司拟募集配套资金203,000.00万元。北京矽成的主营业务为提供高集成密度、高性能品质、高经济价值的集成电路存储芯片的研发、销售和技术支持,以及集成电路模拟芯片(ANALOG)的研发和销售。

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