手机10分钟充满电!125W超级闪充来了 氮化镓概念股振翅欲飞?

1评论 2020-07-14 06:36:38 来源:证券时报 单月怒赚97%过程拆解

  国内充电技术迎来重大突破!

  7月15日,国内充电技术将由此前最高功率65W跃升至百瓦级,而手机充电时间也将由最快30分钟降至10分钟左右,此举有望引爆国内快充概念股尤其GaN(氮化镓)概念股!

  手机厂商的快充“加速度”

  周一(7月13日),OPPO官宣125W 超级闪充将于7月15日下午15点正式登场。

  有相关人士向证券时报·e公司记者透露,7月15日线上发布即代表OPPO125W 超级闪充技术正式商用,但具体首款商用终端暂未知。

  在此之前,OPPO率先量产商用65W超级闪充,首发机型是 OPPO Reno Ace,4000mAh 电池仅需30分钟充满,是当时同电池容量充电速度最快的手机。

  根据vivo在2019年MWC发布的输出功率120W超级充电技术方案(但至今未商用),使用120W超级充电技术将4000mAh锂电池从0%充至50%只需要5分钟,充满至100%只需要13分钟判断,OPPO125W超级闪充技术商用后,手机最快10分钟左右可充满电。

  百瓦级的手机快充几乎目前国内主流手机厂商都在“蓄谋”。就在7月13日上午,vivo刚刚宣布其120W功率快充最快将于8月商用,首款搭载机型为vivo子品牌IQOO手机,据官方介绍,该快充方案采用了20V 6A降压10V 12A的技术。另据了解,7月,联想电竞手机将采用90W快充技术,小米最快会在8月发布的小米10系列旗舰机上采用100W快充技术。此外,据外媒报道,realme可能在7月发布全新的100W快充方案。据海外爆料博主透露,UltraDart快充技术的效率很高,仅需三分钟即可为4000mAh电池充入三分之一的电能。

  氮化镓行业迎来确定性机遇

  据了解,随着5G、AI、IOT、AR时代的到来,用户使用手机时长不断增长,这就对智能终端尤其手机的续航能力提出了更高要求,因此如何在保持手机轻薄的前提下,最大化增强手机的续航成为各手机厂商思考的问题,而其中一种解决方式为加快手机的充电速度。

  目前,快充的实现方法是通过调整手机充电时的电压和电流值,从而缩短手机的充电时间,目前主流的快充方法分为三种:提高充电电压、增长充电电流、或者是在提高电压的同时增大电流。vivo官宣即将商用的120W超级快充方案则为低电压大电流方案。

  从OPPO以往超级闪充方案来看,此次OPPO即将商用的125W超级闪充技术,较大可能会采用GaN材料

  GaN作为第三代半导体材料,对实现快充大有可为,其具备导通电阻小、损耗低以及能源转换效率高等优点,能够在高温高电压的环境下运作,非常适合应用于高频高功率的元件中,由GaN制成的充电器还可以做到较小的体积。

  2019年10月份,OPPO发布的Reno Ace标配的65W超级闪充的充电器,就使用了GaN技术,OPPO也成为了全球第一个在手机充电器中导入GaN技术的厂商。2020年2月,小米在其新品发布会上也推出了应用GaN技术的65W充电器,引发市场广泛关注。

  华创证券近日最新研报指出,随着行业大规模商用,GaN生产成本有望迅速下降,进一步刺激GaN器件渗透,有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。国内GaN产业链加紧布局,迎来成长机遇。

  亦有券商分析师表示,由于具备诸多优良特性,氮化镓目前逐步应用于各大领域,GaN在高端电源、逆变器、通讯设备等工业、汽车领域的加速渗透将是主流趋势,国内相关领域公司也将迎来确定机遇。

  据Yole统计,2018年GaN功率器件国内市场规模约为1.2亿元,2023年GaN功率电子市场规模有望达到4.24亿美元

  这些概念股要火!

  A股氮化镓概念股共有以下27家上市公司

  据了解,三安光电(行情600703,诊股)于2017年投资333亿元在福建泉州投资注册成立项目公司,产业化项目包括高端氮化镓及其LED芯片、大功率氮化镓激光器等。2019年3月,三安光电子公司三安集成与美的集团(行情000333,诊股)合作成立第三代半导体联合实验室,合作研究将聚焦于氮化镓、碳化硅半导体功率器件芯片与IPM模块的应用电路。

  海特高新(行情002023,诊股)方面介绍,其已具备6英寸5G氮化镓基站芯片代工能力,主要布局硅基GaN,氮化镓业务已经引入6家客户,氮化镓功率元器件已经小规模量产。

  耐威科技也布局了氮化镓外延材料及器件,自主研发的硅基氮化镓和碳化硅衬底氮化镓已形成非产业化销售。

  闻泰科技(行情600745,诊股)则具备GaN器件制备能力,在车用GaN器件领域拓展迅速,处于行业第一梯队。 此外,海陆重工旗下江苏能华微电子(行情600360,诊股)科技发展有限公司还提供氮化镓MOVCD生长、GaN外延材料、以氮化镓为基础的电子设备性能先进加工等相关的指定性研究。

关键词阅读:氮化镓 GaN

责任编辑:李欣 RF12607
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