国电南瑞公告，公司拟与国家电网有限公司下属科研单位全球能源互联网研究院有限公司共同投资设立南瑞联研功率半导体有限责任公司。其中，国电南瑞以“IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块产业化项目”的部分募集资金55864.45万元出资，占合资公司69.83％的股权；联研院以技术作价出资24135.55万元（该出资技术的评估值已经国有资产管理单位备案），占合资公司30.17％的股权。