中国5G芯片关键材料获突破 处于国际领先水平(受益股)

摘要
我国及全球5G网络正在大规模建设中。大数据传输、云计算、AI技术、物联网,包括下一步的能源传输,对网络传输速度及容量提出了越来越高的要求,大功率芯片的市场需求非常大。

  从西安电子科技大学芜湖研究院获悉,作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功,打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。

  我国及全球5G网络正在大规模建设中。大数据传输、云计算、AI技术、物联网,包括下一步的能源传输,对网络传输速度及容量提出了越来越高的要求,大功率芯片的市场需求非常大。而硅材料的负载量已到达极限,以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料,也是发展第三代半导体产业的关键基础材料。它的禁带宽度是目前主流的硅的3倍,导热性能更是比蓝宝石高10倍以上。在大功率工作状态下,碳化硅在降低自身功耗的同时,更可提高系统其他部件的功效,节能可高达90%。业内甚至俗称“得碳化硅者得天下”。

  相关上市公司:

  天富能源:旗下天科合达蓝光半导体有限公司是国内领先的专利规模化生产碳化硅的企业,完全替代进口,属国家重点扶持项目,与全球最大的碳化硅晶体生产企业Cree相比,成本竞争优势明显。

  天通股份:继磁材、蓝宝石、压电晶体之后,又进行了第三代化合物半导体碳化硅衬底材料的布局,主要面向电力电子领域。

关键词阅读:5G 芯片

责任编辑:Robot RF13015
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